5 Dual Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Additional Feature：

Configuration：

Continuous Drain Current (ID)：

Current Rating：

Drain to Source Resistance：

DS Breakdown Voltage-Min：

Frequency：

Gain：

Gate to Source Voltage (Vgs)：

JESD-30 Code：

Manufacturer：

Max Frequency：

Max Operating Temperature：

Max Output Power：

Maximum Frequency (MHz)：

Maximum Operating Temperature (°C)：

Maximum VSWR：

Min Breakdown Voltage：

Minimum Frequency (MHz)：

Mode of Operation：

Mounting：

Output Power：

Output Power (W)：

Package Height：

Package Length：

Package Width：

Part Status：

RoHS Status：

Supplier Package：

Test Voltage：

Transistor Application：

Maximum Drain Source Voltage (V)：

Maximum Gate Source Voltage (V)：

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)：

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)：

Typical Output Capacitance @ Vds (pF)：

Typical Power Gain (dB)：

Typical Drain Efficiency (%)：

Highest Frequency Band：

Power Gain-Min (Gp)：

Maximum Continuous Drain Current (A)：

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：

Maximum Gate Threshold Voltage (V)：

Maximum IDSS (uA)：

Typical Forward Transconductance (S)：

Filter：

Transistors - FETs, MOSFETs - RF

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